8インチSiCインゴッドに対応、レーザーソー – EE Times Japan

Home » 11パブリック・マネジメント » 8インチSiCインゴッドに対応、レーザーソー – EE Times Japan
11パブリック・マネジメント, 市場化テスト コメントはまだありません




「KABRA!zen」への接続も可能

DAL7440の外観

 ディスコは2018年1月9日、KABRA(カブラ)プロセスを採用した、直径8インチSiC(炭化ケイ素)インゴッドに対応するレーザーソー「DAL7440」を開発したと発表した。2018年3月にはテスト加工の要求に応えるため、同社の米国ノースカロライナ州のオフィスに、同装置を設置する予定である。

 KABRAプロセスとは、SiCインゴッドの上面よりレーザーを連続的に垂直照射して、ウエハー化するスライス加工技術である。従来のダイヤモンドワイヤソーによる加工に比べて、加工時間が極めて短く、切断部分の素材ロスが少ない、などの特長がある(関連記事:“他にないスライス技術”がSiCの生産効率を4倍へ)。

 同社は「SEMICON Japan 2016」で、直径6インチSiCインゴッド対応のレーザーソー「DAL7420」を公開した。だが市場では既に、直径8インチのSiCウエハーがサンプル出荷されるなど、大口径化が進んでいる。

 このため同社は、直径8インチSiCインゴッドをスライス加工できる、KABRAプロセス対応の製品を新たに開発した。装置の外形寸法は、幅750×奥行き1350×高さ1800mmである。最大対応インゴッド厚みは40mm。この他、オートアライメントによるオリフラ検知機能、インゴッド厚み測定機能、ウエハー印字機能などを搭載している。なお、KABRAプロセスにおける一連の工程を完全自動化したシステム「KABRA!zen」への接続も可能である。




Copyright© 2018 ITmedia, Inc. All Rights Reserved.


こんな記事もよく読まれています



コメントを残す